भाग संख्या :
RJK03M1DPA-00#J5A
निर्माता :
Renesas Electronics America
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 50A WPAK
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
50A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
25nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4720pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
45W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-WPAK
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN