PHK04P02T,518 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1476पीसी स्टक]
- 2,500 pcs$0.10409
- भाग संख्या:
- PHK04P02T,518
- निर्माता:
- Nexperia USA Inc.
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PHK04P02T,518 electronic components. PHK04P02T,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHK04P02T,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHK04P02T,518 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
PHK04P02T,518
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
16V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.66A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
120 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
600mV @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
7.2nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
528pF @ 12.8V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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