N0412N-S19-AY मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [124994पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.73586
- भाग संख्या:
- N0412N-S19-AY
- निर्माता:
- Renesas Electronics America
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 40V 100A TO-220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Renesas Electronics America N0412N-S19-AY electronic components. N0412N-S19-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for N0412N-S19-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
N0412N-S19-AY उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
N0412N-S19-AY
निर्माता :
Renesas Electronics America
वर्णन :
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
5550pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.5W (Ta), 119W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- PHP14NQ20T,127
- 2SJ661-DL-1EX
- 2SK3817-DL-E
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- IPB80N06S209ATMA1
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- FDJ129P_F077
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- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
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- HUF76633P3
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