[12233पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- STP24NM65N
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 650V 19A TO-220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics STP24NM65N electronic components. STP24NM65N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP24NM65N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP24NM65N उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
STP24NM65N
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220
श्रृंखला :
MDmesh™ II
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
19A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2500pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
160W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- PHP14NQ20T,127
- 2SJ661-DL-1EX
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- FDJ129P_F077
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- NTD70N03R
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- IPP07N03LB G
- IPI100N06S3-04
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- BSS123ATA
- 2N6760
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- IRLBD59N04ETRLP
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- STP12PF06
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- IPC60R099C6X1SA1
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- STD15N60M2-EP
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- TK9P65W,RQ
- PSMN7R0-30YL,115