[13110पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- SPI80N06S-08
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - TRIACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies SPI80N06S-08 electronic components. SPI80N06S-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPI80N06S-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPI80N06S-08 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SPI80N06S-08
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
श्रृंखला :
SIPMOS®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 240µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
187nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3660pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
300W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO262-3-1
प्याकेज / केस :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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तातो पार्ट्स
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- IRF7832Z
- BSS123ATA
- 2N6760
- RJK6006DPP-E0#T2
- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
- IRFR3707TR
- STP12PF06
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- IPC60R099C6X1SA1
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- STD15N60M2-EP
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- TK9P65W,RQ
- PSMN7R0-30YL,115