भाग संख्या :
SSM6P35FE,LM
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
FET प्रकार :
2 P-Channel (Dual)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
12.2pF @ 3V
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ES6