भाग संख्या :
ZXMN6A11DN8TC
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.5A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
5.7nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
330pF @ 40V
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOP