[328पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- SPB11N60S5ATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-263.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies SPB11N60S5ATMA1 electronic components. SPB11N60S5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB11N60S5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPB11N60S5ATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SPB11N60S5ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
श्रृंखला :
CoolMOS™
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5.5V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1460pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO263-3-2
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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