भाग संख्या :
SIHB33N60EF-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
33A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
155nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3454pF @ 100V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
278W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
D²PAK (TO-263)
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB