भाग संख्या :
IPA60R299CPXKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
भाग स्थिति :
Not For New Designs
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 440µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
29nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1100pF @ 100V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
33W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-FP
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack