ON Semiconductor - FQU13N06LTU-WS

KEY Part #: K6417080

FQU13N06LTU-WS मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [85018पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.45991

भाग संख्या:
FQU13N06LTU-WS
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU13N06LTU-WS उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FQU13N06LTU-WS
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
श्रृंखला : QFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.4nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 350pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : I-PAK
प्याकेज / केस : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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