Vishay Siliconix - SIHU3N50DA-GE3

KEY Part #: K6393034

SIHU3N50DA-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [237821पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.15553

भाग संख्या:
SIHU3N50DA-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU3N50DA-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIHU3N50DA-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 177pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 69W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : IPAK (TO-251)
प्याकेज / केस : TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

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