SIA430DJT-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [459022पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.08058
- भाग संख्या:
- SIA430DJT-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and Thyristors - TRIACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA430DJT-T1-GE3 electronic components. SIA430DJT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA430DJT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA430DJT-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIA430DJT-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
13.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
800pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
19.2W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SC-70-6 Single
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SC-70-6
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