Infineon Technologies - BSD223PH6327XTSA1

KEY Part #: K6525515

BSD223PH6327XTSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [893402पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04140
  • 3,000 pcs$0.02942

भाग संख्या:
BSD223PH6327XTSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1 electronic components. BSD223PH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD223PH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSD223PH6327XTSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSD223PH6327XTSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 390mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.2V @ 1.5µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.62nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 56pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 250mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-SOT363-6

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