CSD19538Q2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [342569पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.10797
- 3,000 pcs$0.10077
- भाग संख्या:
- CSD19538Q2
- निर्माता:
- Texas Instruments
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET NCH 100V 14.4A SON.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Texas Instruments CSD19538Q2 electronic components. CSD19538Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19538Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD19538Q2 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
CSD19538Q2
निर्माता :
Texas Instruments
वर्णन :
MOSFET NCH 100V 14.4A SON
श्रृंखला :
NexFET™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
14.4A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
5.6nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
454pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-WSON (2x2)
प्याकेज / केस :
6-WDFN Exposed Pad
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