Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J-M3/TR3

KEY Part #: K6439817

BYG10J-M3/TR3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [742232पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05071
  • 15,000 pcs$0.05046

भाग संख्या:
BYG10J-M3/TR3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-M3/TR3 electronic components. BYG10J-M3/TR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10J-M3/TR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J-M3/TR3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BYG10J-M3/TR3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Avalanche
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1.5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.15V @ 1.5A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AC (SMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM