ON Semiconductor - NVTFS6H888NTAG

KEY Part #: K6397234

NVTFS6H888NTAG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [138141पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.26775

भाग संख्या:
NVTFS6H888NTAG
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
T8 80V U8FL.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTFS6H888NTAG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NVTFS6H888NTAG
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : T8 80V U8FL
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.7A (Ta), 12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 55 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 15µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4.7nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 220pF @ 40V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.9W (Ta), 18W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-WDFN (3.3x3.3)
प्याकेज / केस : 8-PowerWDFN

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