TSM60NB099PW C1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [13321पीसी स्टक]
- 1 pcs$3.09371
- भाग संख्या:
- TSM60NB099PW C1G
- निर्माता:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G electronic components. TSM60NB099PW C1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM60NB099PW C1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM60NB099PW C1G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TSM60NB099PW C1G
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
38A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
99 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2587pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
329W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247
प्याकेज / केस :
TO-247-3
ताजा समाचारहरू
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