Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K202FE,LF

KEY Part #: K6407467

SSM6K202FE,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [603363पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06777
  • 4,000 pcs$0.06743

भाग संख्या:
SSM6K202FE,LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6K202FE,LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM6K202FE,LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 85 mOhm @ 1.5A, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 270pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ES6 (1.6x1.6)
प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666

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