Infineon Technologies - IPP120N20NFDAKSA1

KEY Part #: K6400456

IPP120N20NFDAKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [13227पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$2.67152
  • 100 pcs$2.19076
  • 500 pcs$1.77400
  • 1,000 pcs$1.49615

भाग संख्या:
IPP120N20NFDAKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 200V 84A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP120N20NFDAKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPP120N20NFDAKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 200V 84A TO220
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 84A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 12 mOhm @ 84A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 270µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6650pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 300W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220-3
प्याकेज / केस : TO-220-3

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