Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8103(TE12L,QM)

KEY Part #: K6400420

TPCC8103(TE12L,QM) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [76032पीसी स्टक]

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  • 1,000 pcs$0.22853

भाग संख्या:
TPCC8103(TE12L,QM)
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPCC8103(TE12L,QM) उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TPCC8103(TE12L,QM)
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
श्रृंखला : U-MOSV
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 18A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 12 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1600pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 700mW (Ta), 27W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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