[8449पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- 2SJ668(TE16L1,NQ)
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668(TE16L1,NQ) electronic components. 2SJ668(TE16L1,NQ) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ668(TE16L1,NQ), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SJ668(TE16L1,NQ) उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
2SJ668(TE16L1,NQ)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
श्रृंखला :
U-MOSIII
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
700pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
20W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PW-MOLD
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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