ON Semiconductor - NTLGF3501NT2G

KEY Part #: K6420504

NTLGF3501NT2G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [202426पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.18363
  • 3,000 pcs$0.18272

भाग संख्या:
NTLGF3501NT2G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLGF3501NT2G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NTLGF3501NT2G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
श्रृंखला : FETKY™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 275pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.14W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-DFN (3x3)
प्याकेज / केस : 6-VDFN Exposed Pad

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