NTR1P02LT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [927975पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.03986
- 3,000 pcs$0.03846
- भाग संख्या:
- NTR1P02LT1G
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor NTR1P02LT1G electronic components. NTR1P02LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTR1P02LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTR1P02LT1G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
NTR1P02LT1G
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.25V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
5.5nC @ 4V
Vgs (अधिकतम) :
±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
225pF @ 5V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
400mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-23-3 (TO-236)
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ताजा समाचारहरू
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तातो पार्ट्स
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- NTD70N03R
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- BSS123ATA
- 2N6760
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- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
- IRFR3707TR
- STP12PF06
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- SI1011X-T1-GE3
- IPC60R099C6X1SA1
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- IPP120N08S404AKSA1
- IRFS23N15DTRLP
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- TK9P65W,RQ
- PSMN7R0-30YL,115