भाग संख्या :
TPH6400ENH,L1Q
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
13A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
64 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 300µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
11.2nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1100pF @ 100V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.6W (Ta), 57W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOP Advance (5x5)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN