TK34E10N1,S1X मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [64054पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.66896
- 50 pcs$0.53567
- 100 pcs$0.46873
- 500 pcs$0.34386
- 1,000 pcs$0.27147
- भाग संख्या:
- TK34E10N1,S1X
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK34E10N1,S1X electronic components. TK34E10N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK34E10N1,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK34E10N1,S1X उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TK34E10N1,S1X
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
श्रृंखला :
U-MOSVIII-H
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
75A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
9.5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2600pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
103W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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