IXTA3N120HV मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [15181पीसी स्टक]
- 1 pcs$7.03798
- 10 pcs$6.39896
- 100 pcs$5.43912
- भाग संख्या:
- IXTA3N120HV
- निर्माता:
- IXYS
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in IXYS IXTA3N120HV electronic components. IXTA3N120HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA3N120HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA3N120HV उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IXTA3N120HV
निर्माता :
IXYS
वर्णन :
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1100pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
200W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-263
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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तातो पार्ट्स
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- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
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- STP12PF06
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- SI1011X-T1-GE3
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- STD15N60M2-EP
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- PSMN7R0-30YL,115