STMicroelectronics - STP19NM65N

KEY Part #: K6415944

[12236पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    STP19NM65N
    निर्माता:
    STMicroelectronics
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in STMicroelectronics STP19NM65N electronic components. STP19NM65N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP19NM65N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP19NM65N उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : STP19NM65N
    निर्माता : STMicroelectronics
    वर्णन : MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220
    श्रृंखला : MDmesh™ II
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 15.5A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 270 mOhm @ 7.75A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 55nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±25V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1900pF @ 50V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
    प्याकेज / केस : TO-220-3

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