Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7

KEY Part #: K6416668

DMP58D0LFB-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [893743पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04139
  • 3,000 pcs$0.03759

भाग संख्या:
DMP58D0LFB-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP58D0LFB-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMP58D0LFB-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 50V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 180mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 27pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 470mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-DFN1006 (1.0x0.6)
प्याकेज / केस : 3-UFDFN

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