SISA10DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [190084पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.19459
- 3,000 pcs$0.18272
- भाग संख्या:
- SISA10DN-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and Thyristors - TRIACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SISA10DN-T1-GE3 electronic components. SISA10DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISA10DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISA10DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SISA10DN-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
30A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
+20V, -16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2425pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.6W (Ta), 39W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 1212-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® 1212-8
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