Vishay Siliconix - IRLD110

KEY Part #: K6415146

[12510पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IRLD110
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix IRLD110 electronic components. IRLD110 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLD110, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLD110 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IRLD110
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 5V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 540 mOhm @ 600mA, 5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.1nC @ 5V
    Vgs (अधिकतम) : ±10V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 250pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.3W (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
    प्याकेज / केस : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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