TSM80N1R2CL C0G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [43700पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.89473
- भाग संख्या:
- TSM80N1R2CL C0G
- निर्माता:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CL C0G electronic components. TSM80N1R2CL C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM80N1R2CL C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM80N1R2CL C0G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TSM80N1R2CL C0G
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
5.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
19.4nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
685pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
110W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-262S (I2PAK)
प्याकेज / केस :
TO-262-3 Short Leads, I²Pak
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