Vishay Siliconix - SI8429DB-T1-E1

KEY Part #: K6416598

SI8429DB-T1-E1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [202426पीसी स्टक]

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भाग संख्या:
SI8429DB-T1-E1
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8429DB-T1-E1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI8429DB-T1-E1
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 8V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.2V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 800mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 26nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : ±5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1640pF @ 4V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 4-Microfoot
प्याकेज / केस : 4-XFBGA, CSPBGA

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