भाग संख्या :
IXFN100N65X2
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
78A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
183nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
10800pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
595W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-227B
प्याकेज / केस :
SOT-227-4, miniBLOC