Littelfuse Inc. - LSIC1MO170E1000

KEY Part #: K6398406

LSIC1MO170E1000 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [12469पीसी स्टक]

  • 1 pcs$3.30525

भाग संख्या:
LSIC1MO170E1000
निर्माता:
Littelfuse Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LSIC1MO170E1000 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : LSIC1MO170E1000
निर्माता : Littelfuse Inc.
वर्णन : MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 15V, 20V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 15nC @ 20V
Vgs (अधिकतम) : +22V, -6V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 200pF @ 1000V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 54W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247-3L
प्याकेज / केस : TO-247-3

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