1N4448HWS-7-F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2240034पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.01659
- 3,000 pcs$0.01651
- 6,000 pcs$0.01436
- 15,000 pcs$0.01221
- 30,000 pcs$0.01149
- 75,000 pcs$0.01077
- 150,000 pcs$0.00933
- भाग संख्या:
- 1N4448HWS-7-F
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/90V Io/250mA T/R
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N4448HWS-7-F electronic components. 1N4448HWS-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448HWS-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4448HWS-7-F उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
1N4448HWS-7-F
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
80V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
250mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.25V @ 150mA
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
100nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F :
3.5pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SC-76, SOD-323
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOD-323
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-65°C ~ 150°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
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RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
तातो पार्ट्स
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18