Microsemi Corporation - APTM120A80FT1G

KEY Part #: K6524307

[3875पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    APTM120A80FT1G
    निर्माता:
    Microsemi Corporation
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and डायोडहरू - आरएफ ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM120A80FT1G electronic components. APTM120A80FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120A80FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120A80FT1G उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : APTM120A80FT1G
    निर्माता : Microsemi Corporation
    वर्णन : MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET फिचर : Standard
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V (1.2kV)
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 14A
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 960 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 2.5mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 260nC @ 10V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 6696pF @ 25V
    पावर - अधिकतम : 357W
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    प्याकेज / केस : SP1
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP1

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