SI4943BDY-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [93995पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.41807
- 2,500 pcs$0.41599
- भाग संख्या:
- SI4943BDY-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4943BDY-T1-GE3 electronic components. SI4943BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4943BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4943BDY-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI4943BDY-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 P-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6.3A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
19 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
25nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर - अधिकतम :
1.1W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
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