भाग संख्या :
TSM900N06CH X0G
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
9.3nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
500pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
25W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-251 (IPAK)
प्याकेज / केस :
TO-251-3 Stub Leads, IPak