Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J36MFV,L3F

KEY Part #: K6403830

[2222पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SSM3J36MFV,L3F
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36MFV,L3F electronic components. SSM3J36MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J36MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3J36MFV,L3F उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SSM3J36MFV,L3F
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
    श्रृंखला : U-MOSIII
    भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
    FET प्रकार : P-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 330mA (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.2nC @ 4V
    Vgs (अधिकतम) : ±8V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 43pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150mW (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : VESM
    प्याकेज / केस : SOT-723

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