Vishay Semiconductor Diodes Division - VSSAF5N50-M3/6B

KEY Part #: K6428681

VSSAF5N50-M3/6B मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [536214पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06898
  • 14,000 pcs$0.05999

भाग संख्या:
VSSAF5N50-M3/6B
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A, 50V,TRENCH SKY RECT.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSSAF5N50-M3/6B electronic components. VSSAF5N50-M3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSSAF5N50-M3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VSSAF5N50-M3/6B उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VSSAF5N50-M3/6B
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
श्रृंखला : TMBS®, SlimSMA™
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 50V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 3A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 410mV @ 2.5A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1.4mA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 850pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-221AC, SMA Flat Leads
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-221AC (SlimSMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -40°C ~ 150°C

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