BSC060P03NS3EGATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [193709पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.19094
- भाग संख्या:
- BSC060P03NS3EGATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies BSC060P03NS3EGATMA1 electronic components. BSC060P03NS3EGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC060P03NS3EGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC060P03NS3EGATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BSC060P03NS3EGATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
17.7A (Ta), 100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.1V @ 150µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
6020pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.5W (Ta), 83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TDSON-8
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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