Infineon Technologies - BSC093N15NS5ATMA1

KEY Part #: K6418280

BSC093N15NS5ATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [57447पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.83289
  • 5,000 pcs$0.82875

भाग संख्या:
BSC093N15NS5ATMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - DIACs, SIDACs and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies BSC093N15NS5ATMA1 electronic components. BSC093N15NS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC093N15NS5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC093N15NS5ATMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSC093N15NS5ATMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 150V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 87A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 8V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 9.3 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.6V @ 107µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 40.7nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3230pF @ 75V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 139W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TDSON-8
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ