SIZ918DT-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [158402पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.23350
- 3,000 pcs$0.21927
- भाग संख्या:
- SIZ918DT-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3 electronic components. SIZ918DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ918DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ918DT-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIZ918DT-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
16A, 28A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
21nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
790pF @ 15V
पावर - अधिकतम :
29W, 100W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-PowerWDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-PowerPair® (6x5)
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