[8642पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- TPCC8003-H(TE12LQM
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8003-H(TE12LQM electronic components. TPCC8003-H(TE12LQM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCC8003-H(TE12LQM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCC8003-H(TE12LQM उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TPCC8003-H(TE12LQM
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
श्रृंखला :
U-MOSVI-H
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
13A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
16.9 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.3V @ 200µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1300pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
700mW (Ta), 22W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
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