भाग संख्या :
ZXMP6A17N8TC
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
125 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
17.7nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
637pF @ 30V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.56W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)