Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS21-HE3-18

KEY Part #: K6458583

BAS21-HE3-18 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2706842पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01366
  • 10,000 pcs$0.01264

भाग संख्या:
BAS21-HE3-18
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 625mA 50ns
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21-HE3-18 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BAS21-HE3-18
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 200mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.25V @ 200mA
गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-23
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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