भाग संख्या :
IPN70R900P7SATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 700V 6A SOT223
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
900 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 60µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
6.8nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
211pF @ 400V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
6.5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-SOT223