FDB12N50TM मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [77223पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.55933
- 800 pcs$0.55655
- भाग संख्या:
- FDB12N50TM
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor FDB12N50TM electronic components. FDB12N50TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB12N50TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDB12N50TM उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FDB12N50TM
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
श्रृंखला :
UniFET™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1315pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
165W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
D²PAK
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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तातो पार्ट्स
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- STF13NM60N-H
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- AUIRFP4409
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