TSM70N900CI C0G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [59567पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.65642
- भाग संख्या:
- TSM70N900CI C0G
- निर्माता:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
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TSM70N900CI C0G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TSM70N900CI C0G
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
9.7nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
482pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
50W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ITO-220AB
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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